SK Hynix宣布引入高

在2023年底,ASML用Twinscan Exe:5000和TSMC和Samsung提供了第一个EUV High-NA,然后引入了相同的模型光刻系统。人们普遍相信,EUV光刻技术将在高级芯片的开发和下一个代代处理器的生产中发挥关键作用。 SK Hynix宣布了Mass在其位于韩国的Lichuan M16工厂中生产的第一台高型EUV光刻机器(Ultraviolet Extreme Open)来庆祝团队的贡献。几位ASML和SK Hynix参加了当天举行的设备注册仪式,以庆祝下一个代代代产品生产设备的引入。微处理技术的优化对于提高产品性能和生产效率尤为重要。电路模式越准确,您可以在每个晶片中构成芯片越多,也可以有效地提高芯片VE能源效率和性能。 2021年,SK Hynix在第四代10 nm级(1A)戏剧中首次引入了EUV光刻技术,从而扩展了EUV应用程序在高级DRAM制造领域的应用。 SK Hynix您决定引入下一代技术设备,该设备超过了现有的EUV,以满足对半导体市场的未来需求。这次,EUV高NA光刻机的模型是Twinscan Exe:5200b,这是质量产生的第一个EUV高NA设备。与现有的EUV设备(NA 0.33)相比,其光学性能(NA 0.55)的提高40%,可以相信电路模式的精确度高达1.7倍,并且集成增加了2.9倍。通过引入高NA EUV设备,SK Hynix简化了现有的EUV流程,加速了下一个代代的半导体内存,确保了Rproduct的认可和成本竞争力。该措施有望巩固其在VA中的位置添加增值并进一步整合其技术领导力。
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